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Role of silicon excess in Er-doped silicon-rich nitride light emitting devices at 1.54 μm

机译：过量硅在1.54μm的掺Er富硅氮化物发光器件中的作用

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Ramirez, J. M.; Cueff, Sébastien; Berencen, Yonder; Labbé, Christophe; Garrido, B.;
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年度 2014
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1. Role of silicon excess in Er-doped silicon-rich nitride light emitting devices at 1.54 μm [J] . Ramirez J.M., Cueff S., Berencen Y., Journal of Applied Physics . 2014,第8期

机译：过量硅在1.54μm的掺Er富硅氮化物发光器件中的作用
2. Role of silicon excess in Er-doped silicon-rich nitride light emitting devices at 1.54 μm [J] . J. M. Ramirez, S. Cueff, Y. Berencen, Journal of Applied Physics . 2014,第8期

机译：过量硅在1.54μm掺Er的富硅氮化物发光器件中的作用
3. Intense green-yellow electroluminescence from Tb+-implanted silicon-rich silicon nitride/oxide light emitting devices [J] . Berencen, Y., Wutzler, Applied Physics Letters . 2013,第11期

机译：Tb + 注入的富硅氮化硅/氧化物发光器件发出的强烈的黄绿色电致发光
4. Luminescence Properties of Silicon-Rich Silicon Nitride Films and Light Emitting Devices [C] . Min Xie, Dongsheng Li, Feng Wang, Symposium on nanocrystal embedded dielectrics for electronic and photonic devices;Meeting of the Electrochemical Society . 2012

机译：富含硅的氮化硅膜和发光器件的发光特性
5. Novel nitride- and silicon-based quantum structures for intersubband light emitting devices [D] . Driscoll, Kristina Marie 2009

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6. Enhanced Electroluminescence from Silicon Quantum Dots Embedded in Silicon Nitride Thin Films Coupled with Gold Nanoparticles in Light Emitting Devices [O] . Ana Luz Muñoz-Rosas, Arturo Rodríguez-Gómez, Juan Carlos Alonso-Huitrón 2018

机译：嵌入氮化硅薄膜中的硅量子点与金纳米粒子在发光器件中的耦合增强了电致发光
7. Role of silicon excess in Er-doped silicon-rich nitride light emitting devices at 1.54 μm [O] . Ramirez, J. M., Cueff, Sébastien, Berencen, Yonder, 2014

机译：过量硅在1.54μm的掺Er富硅氮化物发光器件中的作用
8. Solid State Lighting Program, Final Report, Advanced EPI Tools for Galium Nitride Light Emitting Diode Devices. [R] . Patibandla, N., Agrawal, V., Dotson, B. 2012

机译：固态照明计划，最终报告，用于氮化镓发光二极管器件的先进EpI工具。

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